宽禁带半导体混合测试平台（SiC/GaN+IGBT）是一款专为研究与开发设计的高效能功率测试平台，兼容SiC、GaN与传统IGBT功率器件，提供多种电路拓扑测试功能，适用于现代高频开关电源设计与优化。系统支持高达5MHz的开关频率，尤其针对SiC与GaN器件的高速特性，栅极信号的上升时间小于5ns，适合高速开关测试。平台内置预置的10种常见拓扑电路（如Buck、Boost、LLC），支持自动切换拓扑，并且切换时间小于1秒，确保高效的测试与优化。功率精度可达到±0.1%，并支持实时损耗计算，包括Eon/Eoff与反向恢复能量等重要指标。数据分析模块提供数据可视化，支持CSV、Excel格式导出，为工程师提供可靠的决策支持。该平台还具备完善的保护功能，能够自动关断以防过压、过流等异常情况，确保测试的安全性和准确性。该平台在高频应用、功率器件优化及高效能开关电源设计领域，提供了一个高性价比的解决方案。

宽禁带半导体混合测试平台（SiC/GaN+IGBT）
适用器件	SiC、GaN、IGBT、MOSFET功率器件
兼容拓扑	Buck、Boost、LLC等常见电路拓扑
高频测试模块
开关频率	DC-5MHz（SiC/GaN专用模式，支持高频开关测试）
栅极信号上升时间	<5ns（GaN驱动，适应高速开关应用）< /td>
驱动电压	±20V（可调，支持多种半导体驱动要求）
保护功能	过压、过流、过温保护（自动关断）
多拓扑支持模块
拓扑库	预置10种标准电路拓扑（Buck/Boost/LLC等，支持自定义拓扑设计）
切换时间	<1秒（机械继电器与固态混合切换）< /td>
开关模式	支持周期调制（PWM）、斜坡调制、增益调制等模式
电压调节	可调输入/输出电压范围：0V-600V（支持电压和电流反馈调节）
效率与损耗分析模块
功率精度	±0.1%（在满量程范围内）
损耗计算	实时显示Eon/Eoff、反向恢复能量、开关损耗等参数
测量精度	±0.5%（功率、损耗及电流、电压测量精度）
分析软件	内置分析软件，提供数据可视化和报表生成，支持CSV/Excel导出
系统功能与扩展性
控制方式	HMI触控屏 + PC端软件支持（USB/LAN连接）
数据存储	支持大容量存储（SSD 128GB，实时数据保存）
环境适应性	工作温度：10°C ~ 35°C，湿度：20% ~ 80% RH（无凝露）
电源要求	AC 220V ±10%，50Hz，功率≤1kW